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硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計。

190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

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400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。 外殼部分