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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電探測器

  • 190-1100nm硅基放大光電探測器,感光尺寸3.6×3.6mm

    190-1100nm硅基放大光電探測器,感光尺寸3.6×3.6mm 產(chǎn)品描述: 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm,有8檔可調(diào)增益,可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換,動(dòng)態(tài)范圍寬,適用于各種光電開發(fā)場景,性能優(yōu)秀,性價(jià)比高,提供quan方位技術(shù)支持,常應(yīng)用于紫外與可見光測量。

    更新時(shí)間:2024-12-09
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間:2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm(探測器)

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm(探測器) APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。

    更新時(shí)間:2026-09-08
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器

    190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調(diào)增益 ,定量光電轉(zhuǎn)換;動(dòng)態(tài)范圍寬 ,適用于各種光電開發(fā)場景 ,應(yīng)用廣泛;索雷博THORLABS同款 ,無縫兼容;性能優(yōu)秀 ,高性價(jià)比 ,quan方位技術(shù)支持; 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

    更新時(shí)間:2025-11-10
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器

    190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm,可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換,動(dòng)態(tài)范圍寬,適用于各種光電開發(fā)場景,性能優(yōu)秀,性價(jià)比高,提供quan方位技術(shù)支持,常應(yīng)用于紫外與可見光測量。

    更新時(shí)間:2025-09-25
    產(chǎn)品型號(hào):Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M
    瀏覽量:2060
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