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  • MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
    瀏覽量：1973
  • 2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器

    2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。

    更新時(shí)間：2025-09-03
    產(chǎn)品型號(hào)：MCT-PVI-3-1×1
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  • 1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器, 三級(jí)熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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