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  • CRM-1.6G-A銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm  AC-1.6G

    銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm AC-1.6G 筱曉光子針對光學相干檢測應用研發了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測器以及高品質光纖耦合器。制作過程對耦合器分光比以及長度進行嚴格控制,從而進一步提高共模抑制比。在相干接收基礎上,為進一步提高光學信噪比,高信噪比

    更新時間:2025-08-22
    產品型號:CRM-1.6G-A
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  • CRM-100M-A銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M

    銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M 筱曉光子針對光學相干檢測應用研發了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測器以及高品質光纖耦合器。制作過程對耦合器分光比以及長度進行嚴格控制,從而進一步提高共模抑制比。在相干接收基礎上,為進一步提高光學信噪比,高信噪比相

    更新時間:2025-08-22
    產品型號:CRM-100M-A
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  • PEM 12HiRep MC熱釋電能量探測器 PEM HiRep

    熱釋電能量探測器 PEM HiRep 這些傳感器采用薄金屬(MC)或黑色吸收(BC)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復率可達 5000 次 / 秒以上。MC 型傳感器的光譜特性在可見光(VIS)和近紅外(NIR)區域表現平坦,但對于較長波長需考慮其吸收特性;BC 型探測器的吸收特性從紫外(UV)到紅外(IR)區域均極為平坦,主要適用于單波長場景。兩種 MC 型傳感器的金屬涂層在紫外區的穩定性

    更新時間:2025-08-09
    產品型號:PEM 12HiRep MC
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  • APD130C/M(DP)900~1700nm雪崩式光電探測器(APD) DC~50MHz(砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

    900~1700nm雪崩式光電探測器(APD) DC~50MHz(砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb) 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間:2025-09-25
    產品型號:APD130C/M(DP)
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  • SWIR-Ⅱ.InGaAs 銦鎵砷單元探測器 0.9-1.7um SWIR-Ⅱ型

    InGaAs 銦鎵砷單元探測器 0.9-1.7um SWIR-Ⅱ型 光敏面直徑:1mm;規模:單元;波段:0.9-1.7um; 峰值波長:1.55 um;峰值量子效率:≥90%

    更新時間:2025-09-04
    產品型號:SWIR-Ⅱ.
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