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2-10μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 帶放大 帶TEC MCT-10-4TE放大探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到12 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導(dǎo)體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對(duì)探測(cè)器元件的溫度控制在-30 °C，從而將熱變化對(duì)輸出信號(hào)的影響Min. 化。為了獲得z佳效果，我們推薦將輸出電纜(不附帶)與一個(gè)50歐姆的終端連接。

2-12μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 無(wú)制冷 室溫使用 MCT-12-0TE放大探測(cè)器是一種HgCdTe室溫光伏多結(jié)紅外探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到12 μm的中紅外光譜波段光波敏感。為了獲得z佳效果，我們推薦將輸出電纜(不附帶)與一個(gè)50歐姆的終端連接。由于探測(cè)器是AC偶合的，因此它需要一個(gè)脈沖或斬波輸入信號(hào)。 交流耦合探測(cè)器不會(huì)看到未斬波的直流信號(hào)，因?yàn)樗鼈儗?duì)只對(duì)強(qiáng)度變化而不是強(qiáng)度的jue對(duì)值敏

950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ300um P97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器以及二級(jí)熱電致冷器（TEC）組成，采用TO封裝 形式。本使用手冊(cè)僅針對(duì)該系列產(chǎn)品進(jìn)行說(shuō)明。

950-1650nm InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 MP6514S型探測(cè)器組件由4×4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測(cè)器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號(hào)控制模塊組成。在蓋革工作模式下，探測(cè)器組件各像元獨(dú)立、自由運(yùn)行，探測(cè)0.95-1.65 μm的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號(hào)，實(shí)時(shí)輸出TTL電信號(hào)。

D2250-2M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲，并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)檢測(cè)器通過(guò)使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測(cè)器來(lái)緩解這兩個(gè)限制。這一切都在我們的即插即用檢測(cè)器模塊中完成，紅外信號(hào)與我們的高功率泵浦激光器混合，產(chǎn)生近乎可見(jiàn)的信號(hào)，可被各種高響應(yīng)硅基檢測(cè)器檢測(cè)到。如果您不需要超低信號(hào)檢測(cè)，我們還